Физические модели приборов на основе карбида кремния

Рассмотрены физические особенности карбида кремния, являющиеся принципиальными при производстве полупроводниковых приборов. Показана необходимость учитывать эффекты анизотропии и неполной ионизации примесных центров при моделировании полупроводниковых приборов на основе этого материала. Приведена модель полевого транзистора с затвором Шоттки