|
Моделирование влияния технологии формирования канальной области на выходные вольтамперные характеристики мощных СВЧ LDMOS транзисторов
В среде приборно-технологической САПР оптимально сконфигурирована физико-технологическая модель LDMOS транзистора, предназначенная для исследования электрофизических параметров мощных СВЧ LDMOS транзисторов. Модель позволяет проводить разработку и оптимизацию конструкторско-технологических параметров отечественных LDMOS транзисторов с целью реализации приборов с заданными характеристиками
