Исследование электрофизических свойств полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2XGa2(1-X) (x ~ 0.65) Te3/InAs


Комплексное применение электрофизических методов для оценки параметров центров локализации заряда в запрещённой зоне материала слоя In2Te3 с учётом результатов решения уравнения электронейтральности позволяет интерпретировать механизмы токопрохождения в гетероструктуре Al/In2Te3 /InAs (n - типа) с участием двух типов глубоких уровней (Ed=0.5eV и Et=0.36eV) в интервале температур от (77 до 400) К. Установлен факт отсутствия влияния генерационно-рекомбинационных процессов на изолирующие свойства слоев теллуридов индия, что доказывает возможность использования их в качестве подзатворных в полевых гетероструктурах