Исследование электрофизических параметров UDMOS структур, реализуемых по TRENCH-GATE технологии

Рассматриваемая авторами виртуальная модель UDMOS структур даёт возможность проводить приборно-технологическое проектирование UDMOS транзисторов с расчетом основных электрофизических параметров силовых приборов такого типа. Сравнительный анализ приведенных данных показывает, что электрофизические параметры разрабатываемых отечественных UDMOS транзисторов соответствуют параметрам лучших зарубежных аналогов