Приборно-технологическое проектирование UDMOS структур, реализуемых по trench-gate технологии


Создана приборно-технологическая модель UDMOS структур, реализуемых по trench-gate технологии. Обоснован выбор математических и физико-технологических моделей, описывающих технологию создания данного типа приборов. Разработанная виртуальная UDMOS структура позволяет проводить исследование и оптимизацию технологии и топологии реальных UDMOS транзисторов