Моделирование влияния режимов ионной имплантации и диффузионной разгонки канальной области на пороговое напряжение мощных СВЧ LDMOS транзисторов в среде приборно-технологической САПР TCAD


В среде приборно-технологического САПР TCAD Sentaurus оптимально сконфигурирована физико-технологическая модель LDMOS транзистора, предназначенная для исследования электрофизических параметров мощных СВЧ LDMOS транзисторов. Модель позволяет проводить разработку и оптимизацию конструкторско-технологических параметров отечественных LDMOS транзисторов с целью реализации приборов с заданными характеристиками