Моделирование технологии СВЧ LDMOS-транзисторов с нелинейным распределением примеси в стоковой LDD-области

Аннотация. В среде приборно-технологической САПР оптимально сконфигурирована физико-технологическая модель LDMOS-транзистора, предназначенная для исследования электрофизических параметров мощных СВЧ LDMOS-транзисторов. Модель позволяет проводить разработку и оптимизацию конструкторско-технологических параметров отечественных LDMOS-транзисторов с целью реализации приборов с заданными характеристиками.

Ключевые слова: LDMOS-транзисторы; СВЧ-электроника; физико-технологическая модель LDMOS-структуры.

TECHNOLOGICAL MODELLING OF MICROWAVE LDMOS TRANSISTORS WITH A NONLINEAR DISTRIBUTION OF THE DOPING IN THE LDD DRAIN REGION
R. P. Alekseev, G. V. Bykadorova, E. N.Bormontov

Abstract. An optimally configured physic technological LDMOS structure model designed to investigate the electro-physical parameters of microwave LDMOS power transistors was created in the Sentaurus CAD. The model allows to develop and optimize construction and technological parameters of domestic LDMOS transistors enabling production of devices with intended characteristics.
Keywords: LDMOS power transistors; microwave electronics; physic technological LDMOS structure.