Исследование вольт-амперных характеристик гетероструктур металлооксид-кремний для солнечных элементов

Аннотация. Работа посвящена исследованию вольт-амперных характеристик гетероструктур металлооксид-кремний. Для осаждения металлооксидных пленок использовались ионно-лучевое распыление составных керамических мишеней. Исследовались вольт-амперные характеристики гетероструктур и вольт-амперные характеристики в фотогальваническом режиме. Установлено, что гетероструктуры обладают токами короткого замыкания и напряжениями холостого хода, что позволяет рассматривать их как перспективные структуры для солнечной энергетики.

Ключевые слова: вольт-амперные характеристики; гетероструктура; металлооксид; кремний; ионно-лучевое распыление; керамические мишени; фотогальванический режим; ток короткого замыкания; напряжение холостого хода.

STUDY THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURES METALLOOXIDE-SILICON FOR SOLAR CELLS

Rembeza S.I., Svistova T.V., Prosvetov R.E., Mokrousov N.S.

Abstract. The work is devoted to investigation of current-voltage characteristic heterostructuresmetallooxide-silicon. Ion-beam sputtering of ceramic compound targets was used for metallic oxide films deposition. Studied current-voltage characteristics of heterostructures and current-voltage characteristics in the photovoltaic mode. Found that heterostructures have short-circuit currents and voltages at idle, and can be considered as a promising structure for solar energy.

Keywords: current-voltage characteristics; heteristructure; metallooxide; silicon; ion-beam sputtering; ceramic target; the photovoltaic mode; short circuit current; open-circuit voltage.