Моделирование технологического процесса изготовления инвертора в САПР TCAD

Аннотация. Объектом исследования являются интегральные NMOS, PMOS транзисторы и CMOS-инвертор, выполненный на их основе. В ходе работы выполнено моделирование структур NMOS и PMOS транзисторов, разработаны топология и конструкция CMOS-инвертора, изготавливаемого по 20 нм технологии.

Ключевые слова: интегральные NMOS и PMOS транзисторы, CMOS-инвертор, технологическое моделирование.

CMOS-INVERTER MANUFACTURING PROCESS SIMULATION

Plotnikova Y.Y., Kharchenko M.E.

Abstract. The object of investigation areintegrated NMOS, PMOS transistors and CMOS - inverter based on it. During the investigation of the NMOS and PMOS structures of the transistors was simulated. The topology and design of a CMOS inverter manufactured using 20 nm technology has been developed.

Keywords: integrated NMOS and PMOS transistors, CMOS-inverter, technology modeling.